2小时之前达成电驱用碳化硅功率半导体设计与生产全自主化、全国产化，打破了国际芯片垄断IT之家4月6日消息，据红旗官方发布，研发总院新能源开发院功率电子开发部与大电流下SiCMOSFET功率模块的驱动器研究知乎,摘要由于碳化硅（SiC）MOSFET具有高频、低损耗、高耐温特性，在提升新能源汽车逆变器效率和功率密度方面具有巨大优势。对于SiCMOSFET功率模块，碳化硅（SiC）MOSFET性能的优势与技术的难点知乎,引言：碳化硅功率器件近年来越来越广泛应用于工业领域，受到大家的喜爱，不断地推陈出新，大量的更高电压等级、更大电流等级的产品相继推出，市场反应碳
实验时设置环境温度为25℃，施加漏源电压VDS=960V，测试得到两只器件的双脉冲电流波形如图7所示，可以看出器件特性接近的脉冲测试波形整体上几乎没有什么差异，因此可测试SiC开关特性，波形振荡很严重，该怎么办？,开关特性是功率半导体开关器件最重要的特性之一，由器件在开关过程中的驱动电压、端电压、端电流表示。一般在进行器件评估时可以采用双脉冲测试，而在电路设计时直接测量在运行中的变换器上的器揭秘碳化硅芯片的设计和制造知乎,今天来源：EETOP众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到，可是这只是具备了获得一个
2天之前对于IGBT的下一代SiC（碳化硅）宽禁带功率器件来说，具有高转换效率，高工作频率，高使用环境温度。但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传碳化硅功率器件：特性、测试和应用技术（书籍）知乎,本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiCMOSFET参数的解主驱！这家车企宣布搭载国产SiCMOSFET前段时间，一汽,前段时间，一汽红旗宣布今年他们将有2款SiC车型上市，昨天，他们又公布了在碳化硅领域的新突破：完成主驱碳化硅模块试制，采用2in1塑封，寄生电感≤6.5nH，输出电流
触的设计，可以将浪涌电流能力提高2~4倍[7]。通过设计以及工艺上的改进[8]，各厂家二极管的浪涌能力普遍达到额定电流的10倍以上。而Infineon通过元胞优化，其浪涌电流密度达到了5600A/cm2的水平，为额定电流的18倍。Cree和Infineon公分享,SiCMOSFET单管的并联均流特性及1200V产品参数,实验时设置环境温度为25℃，施加漏源电压VDS=960V，测试得到两只器件的双脉冲电流波形如图7所示，可以看出器件特性接近的脉冲测试波形整体上几乎没有什么差异，因此可认为两并联支路的寄生参数是相同的，这保证了下文研究器件特征参数差异性并联均高压SiC功率半导体器件的发展现状与挑战应用,2010年报道单芯片脉冲电流达到2000A的SiCGTO器件。3.4碳化硅IGBT在碳化硅MOSFET器件中，其通态电阻随着阻断电压的上升而迅速增加。在高压领域，碳化硅IGBT器件将具有明显的优势。由于受到工艺技术的制约，碳化硅IGBT的起步较
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与IGBT功率器件参数测试知乎,2天之前对于IGBT的下一代SiC（碳化硅）宽禁带功率器件来说，具有高转换效率，高工作频率，高使用环境温度。但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰；SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。深层次讲解碳化硅MOSFET的专属特性电源网,第一个导通脉冲的宽度和电感值以及总线电压一起决定了关断期间器件的电流幅度。在第一和第二导通脉冲之间的时间段内，存储在电感器中的电量通过续流装置循环。此操作使器件在第二个脉冲的上升沿（即导通事件）期间能看到相同的一组操作参数。
重复UIS脉冲引起阈值电压有轻微的漂移，同时导致了通态电阻的下降，这在输出特性中很明显。漏极电流特性的变化是由电活性陷阱浓度的增加引起的，表现为漏极电流本身的增加和IV曲线形状的变化，这很可揭秘碳化硅芯片的设计和制造,芯片新浪科技新浪网,2天之前揭秘碳化硅芯片的设计和制造.众所周知，对于碳化硅MOSFET(SiCMOSFET)来说，高质量的衬底可以从外部购买得到，高质量的外延片也可以从外部购买到AMEYA360:罗姆技术推陈出新第4代碳化硅优势尽显百家号,AMEYA360:罗姆技术推陈出新第4代碳化硅优势尽显.碳化硅（SiC）材料具有优异的特性，用它制造的MOSFET器件在开关过程中不会产生拖尾电流，可高速运行并降低开关损耗；低导通电阻和小型芯片尺寸可以实现较低的电容和栅极电荷。.此外，碳化硅还具有导通电阻
1天前对于系统设计人员而言，碳化硅CoolSiC™MOSFET技术意味着最佳性能、可靠性和易用性。碳化硅（SiC)功率晶体管可为设计人员带来新的灵活性，助力实现前所未有的效率和可靠性。高压CoolSiC™MOSFET技碳化硅功率器件技术综述与展望CSEE,触的设计，可以将浪涌电流能力提高2~4倍[7]。通过设计以及工艺上的改进[8]，各厂家二极管的浪涌能力普遍达到额定电流的10倍以上。而Infineon通过元胞优化，其浪涌电流密度达到了5600A/cm2的水平，为额定电流的18倍。Cree和Infineon公国内外碳化硅陶瓷材料研究与应用进展CERADIR先进陶瓷在线,放电等离子烧结可以同时向坯体施加单轴载荷和直流脉冲电流，从而使难以烧结的碳化硅在相对低的温度下达到致密化。另外，放电等离子烧结的时间非常短，使陶瓷材料的晶粒生长受到限制，从而保持细小均匀的晶粒。
1天前碳化硅功率模块用于转换电能，转换效率高—功率是指电流和电压的乘积。为什么在特定应用中首选碳化硅(SiC)功率模块。碳化硅半导体带隙宽，用于MOSFET中时，开关损耗极低，因此相较于普通的硅器件，可允许更高的开关频率。为什么不用sic做igbt?知乎,IGBT器件电导调制能力依赖于漂移区载流子寿命，事实上对于1020kV电压等级的碳化硅IGBT器件，3us5us的载流子寿命就可以了。但是目前碳化硅载流子寿命提高的热氧化法和C离子注入退火法都难以实现稳定的载流子寿命提高，实验结果的片间均匀性很差，所以难以形成商业化的器件产品。IGBT功率器件参数测试知乎,2天之前对于IGBT的下一代SiC（碳化硅）宽禁带功率器件来说，具有高转换效率，高工作频率，高使用环境温度。但是目前限制SiC应用主要是两方面，一是价格，其价格是传统Si型IGBT的7倍；其次是电磁干扰；SiC的开关频率远高于传统Si型IGBT，电路回路寄生参数已经大到无法忽略，需要额外注意EMI问题。
此时，峰值电流电流会很大，且通常只能通过测量得到。实践经验表明，在门极电流无振荡，且驱动电阻较小的情况下，电路中实际观察到的电流峰值低于ÎOUT(1.Order)的70%。门极电流的减小是由于门极回路中的寄生电感导致的。夜空出现巨型红色光环，奇怪的是几乎所有人都表示没有看到,但普通闪电并不会产生电磁脉冲，因为它们的电流强度不够。但这次雷暴的威力异常强大，其产生的闪电中有一次强度达到了常规闪电的10倍以上，这个异常强大的闪电可能会产生电子冲击波，击中大气层顶端的电离层。而一旦电磁脉冲Silvaco学习日记（六）很失败的仿真CSDN博客,Silvaco学习日记（六）很失败的仿真.①不知道这篇文献是用什么软件模拟的，但我天真的以为就是silvaco可能是有一部分比较兴奋的原因。.②准备不够详细，没有很耐心的看完整篇文献的细节，不同于之前看文献，对文献的结果进行仿真需要知道很多详细
本书介绍了碳化硅功率器件的基本原理、特性、测试方法及应用技术，概括了近年学术界和工业界的最新研究成果。本书共分为9章：功率半导体器件基础，SiCMOSFET参数的解读、测试及应用，双脉冲测试技术，SiC器件与Si器件特性对比，高di/dt的影响与应对——关断电压过冲，高dv/dt的影响与,,