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多晶硅棒热破碎装置人们发现了半导体

  • 冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计百度学术

    冲击式多晶硅破碎装置的研究与设计.来自知网.喜欢0.阅读量:.135.作者:.王石安.摘要:.多晶硅(Polysilicon)作为半导体材料所使用的基础材料,在微电子技术和光伏发电技术中多晶硅行业研究:产业链、生产、共给、需求分析,多晶硅,需求,1、多晶硅产业链:生产工艺复杂,下游聚焦光伏半导体.多晶硅主要由工业硅、氯气和氢气制备而来,位于光伏及半导体产业链的上游。.据CPIA数据,目前全多晶硅棒破碎系统及破碎方法与流程,1.本技术涉及多晶硅生产技术领域,具体而言,涉及一种多晶硅棒破碎系统及破碎方法。背景技术:2.多晶硅是生产太阳能电池、半导体元件的基础材料。目前多

  • 电子级多晶硅棒热破碎方法与流程X技术

    电子级多晶硅棒热破碎方法与流程.1.本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。.2.在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为一种破碎多晶硅棒的装置及方法CN102059170A专利顾如,1.一种多晶硅棒破碎装置,其特征在于,包括密封容器和向所述密封容器通入压缩气体的供气装置,所述密封容器设有压缩气体入口和能迅速开启的出气门,所AI革命背后的芯片产业之争:接受现实才是迈向成功的第一步,“半导体是当前中美科技战的“主战场”。全球年产值6000亿美元的半导体产品涵盖了上千款芯片和近10万种分立器件,支撑了下游年产值几万亿美元的各类电子产

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    1.本技术涉及多晶硅领域,具体地,涉及电子级多晶硅棒热破碎方法。背景技术:2.在多晶硅行业中,气相沉积法生产的电子级多晶硅为体积较大的棒状料,供给下游使用需要先破碎成块状,因为电子级多晶硅纯度要求极高,所以杂质污染的控制非常重要,目前,无论是人工还是机械破碎的过程,不电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置专利查询企查查,本发明公开了电子级多晶硅CVD炉内破碎方法和装置,所述方法包括:(1)在CVD炉内的硅棒生长完成后,关闭原料进口和尾气出口,向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒降温;(2)当所述硅棒的温度降至600‑800℃时,加速向炉内吹扫保护气体,以便对所述硅棒快速降温;(3)当所述硅棒的温度降至60℃以下一种破碎多晶硅棒的装置及方法CN102059170A专利顾如,1.一种多晶硅棒破碎装置,其特征在于,包括密封容器和向所述密封容器通入压缩气体的供气装置,所述密封容器设有压缩气体入口和能迅速开启的出气门,所述供气装置通过所述压缩气体入口向所述密封容器通入压缩气体至所述密封容器内的气压达到预定值。

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